本发明涉及含铋氮化合物的
半导体材料和制备方法及全波段光电器件，含铋氮化合物的半导体材料组成通式为InN
1‑xBi
x，其中，0<x≤20％，薄膜材料能带覆盖0～0.7电子伏特；所述InN
1‑xBi
x材料具有闪
锌矿结构或纤锌矿结构；含有所述的含铋氮化合物的半导体材料的薄膜材料、量子阱、量子点、超晶格、纳米线或异质结材料；所述InN
1‑xBi
x材料或者异质结材料能够实现氮化物家族从紫外到太赫兹波段的全波段覆盖，制备中红外到太赫兹全波段激光器、探测器等光电器件；本发明的InN
1‑xBi
x材料可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长。
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“含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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