本发明涉及一种氧化环境中单向C/SiC
复合材料细观应力的检测方法,用于解决现有的单向C/SiC复合材料细观应力的检测方法应力分析准确度差的技术问题。技术方案是应用氧化反应动力学方程模拟微结构氧化过程,得到了复合材料微结构在不同氧化时刻下的几何模型;建立氧化后的微结构有限元模型,进行细观应力的有限元计算,从建模到计算的整个过程简洁高效,克服了实验方法成本高、耗时长的缺点;借助于ANSYS强大的后处理功能,准确的显示细观应力场在氧化后复合材料微结构内的复杂分布,提高了单向C/SiC复合材料细观应力的检测方法应力分析的准确度,解决了细观力学模型精度低、缺乏应力分布准确描述的问题。
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“氧化环境中单向C/SiC复合材料细观应力的检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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