本发明涉及一种SiC纳米线改性陶瓷基
复合材料界面制备陶瓷基复合材料的方法，将多孔纤维预制体浸渍在催化剂溶液中，然后在CVD炉中，以三氯甲基
硅烷MTS为硅源；氩气Ar作为稀释气体，稀释比为30～90；氢气作为载气，进行原位沉积SiC纳米线；再以三氯甲基硅烷MTS为硅源；氩气Ar作为稀释气体，稀释比为9～11，采用CVI工艺制备SiC基体，得到致密SiC纳米线改性的陶瓷基复合材料。本发明利用SiC纳米线的增强增韧机制，提高材料的力学性能。与相同工艺下的PyC界面的复合材料相比，SiC纳米线做界面的复合材料的弯曲强度提高了26.7％(图6)，还可以提高界面的抗氧化性。
声明：
“SiC纳米线改性陶瓷基复合材料界面制备陶瓷基复合材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1027
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
