本发明涉及一种半导体器件的制造方法。所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆表面上形成有接合环和覆盖所述接合环的停止层；蚀刻部分厚度的所述停止层，以在所述接合环的内外两侧形成凹槽和通过所述凹槽与所述接合环间隔的停止环，其中，所述凹槽露出所述接合环的部分侧壁；执行清洗步骤，以去除所述蚀刻过程中在所述接合环的侧壁上形成的残留物。在所述方法中在所述接合环两侧形成所述停止环的过程中仅部分地蚀刻所述停止层，而不完全去除所述第一晶圆表面的所述停止层，使所述停止层继续覆盖所述第一晶圆的表面，从而对所述第一晶圆形成保护，避免在清洗步骤中对所述第一晶圆造成损失。
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来源：北方有色网
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