本实用新型提供了一种基于Ge2Se2Te5的忆阻器，从上往下依次包括上导电电极、中间功能层和下导电电极，中间功能层采用Ge2Se2Te5材料。本实用新型忆阻器能够在循环的正负电压下进行稳定快速的高低阻切换，可应用于未来高密度低功耗的非易失性存储器；该器件制备工艺简单，GST作为
功能材料性能稳定、成本低，满足大规模量产的需求。
声明：
“基于Ge2Se2Te5的忆阻器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
782
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
