本发明属于共轭聚合物以及高分子光电
功能材料的技术领域，具体涉及一种含卤素原子取代噻吩基稠噻唑结构的共轭聚合物及其应用。本发明的含卤素原子取代噻吩基稠噻唑结构的共轭聚合物采用了卤素原子和氮杂原子取代，获得了更强的吸电子能力，使得聚合物具有更低的HOMO、LUMO能级，有机会成为一系列高载流子迁移效率的、低HOMO能级的P‑型聚合物材料，具有高强度刚性的共轭平面，能够通过大π键的离域作用形成高度有序以及高载流子迁移速率的聚合物薄膜，不仅提升聚合物
太阳能电池的载流子传输效率，还优化电池的填充因子，可以作为有机太阳能电池活性层的给体材料，使得太阳能电池器件获得较高的开路电压。
声明：
“含卤素原子取代噻吩基稠噻唑结构的共轭聚合物及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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来源：北方有色网
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