本发明涉及半导体
功能材料技术领域，特别涉及一种非闪烁量子点及其制备方法。本发明将壳层生长温度控制在比核体生长温度高5～80℃，使壳层源各组分在高温条件下反应，促进壳层源各离子的相互渗透，消除壳层晶体内部的缺陷，进而得到晶相稳定的富集ZnSe材料，避免富集ZnSe材料被空气中的氧气氧化；同时，本发明还通过壳层源添加方式的设置，避免壳层源的各组分单独成核，进而得到以富集ZnSe材料为壳层的核壳结构量子点。利用上述方案得到的量子点的亮态比为90～100％，属于典型的非闪烁量子点。
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来源：北方有色网
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