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制备α-Si3N4晶须的方法

1583   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-18 15:08:01
本发明涉及一种制备氮化硅(阿耳法-氮化硅)晶须的方法,采用适当粒度的氧化硅粉末为原材料,在一定压力的氮气氛下,在石墨容器内经1200℃~1600℃之间直接反应生成晶体结构完整的,表面质量优良的单晶阿耳法-氮化硅晶须。所得制品可应用于各种复合材料的增强、增韧,以及特殊用途的功能材料
声明:
“制备α-Si3N4晶须的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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