一种TZO‑MoO
3包覆粉末的制备及其烧结方法。本发明属于非金属元素及其化合物。本发明公开了一种新的工艺来制备MoO
3掺杂TZO靶材。本发明的优点在于用一种新的掺杂工艺来代替传统的球磨掺杂，得到充分混合、均匀掺杂的粉体。适用于微量(0.2‑0.5at％)的MoO
3粉末掺杂，可制备出致密度超过99.9％，强度超过120MPa，电阻率小于5.0×10
‑3Ω·cm的掺杂TZO靶材，这种掺杂TZO靶材，可经济、高效的制成各种复杂形状。TZO透明导电薄膜性能稳定、制备简单、成本低廉等优势，在光电学性能平板显示领域得到了极其广泛的应用，是新一代透明导电膜，最有可能替代昂贵的ITO，在薄膜
太阳能电池和low‑E玻璃等领域，正显示出巨大的应用前景和市场，是一种被广泛研究的
功能材料。
声明：
“MoO3包覆TZO粉体的制备及其烧结方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1205
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
