本发明提供了一种掺杂氧离子的高熵陶瓷及制备方法，属于
新材料及高熵陶瓷制备技术领域。本发明通过机械合金化及烧结过程将TiO2与过渡族金属及其共价键化合物(包括碳化物、氮化物或碳氮化物)作为共同组元，使烧结后获得的过渡族金属共价键碳化物、氮化物高熵陶瓷块体材料(高熵陶瓷)的晶体结构中阴离子点位含有氧离子，获得的掺杂氧离子的非化学计量比高熵陶瓷具有面心立方的单相、单一晶体结构。这种在阴离子点位分布大量氧离子的耐辐射、耐腐蚀、高硬度强度的高熵陶瓷新材料，在催化、
储能及特殊
功能材料器件等方面有极大的应用空间。
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“掺杂氧离子的高熵陶瓷及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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