本发明属于不挥发存储器技术领域,具体为一种采用电场增强层的阻变存储器结构及其制备方法。本发明的阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于所述顶电极与所述底电极之间的由第一层电阻转变层和第二层电阻转变层兼电场增强层组成的叠层;第二层电阻转变层兼电场增强层和第一层电阻转变层相邻,并具有比所述第一层电阻转变层低的介电常数。本发明选用不同介电常数的阻变
功能材料组成叠层结构来调节阻变存储结构单元中的电场分布,进而通过控制阻变存储器器件结构中的电场分布来实现阻变存储器在阻变过程中所形成的导电通道结构和数量上的控制。本发明的阻变存储器性能稳定可控。
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来源：北方有色网
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