本发明揭示了一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法，本发明用旋涂的方法在提供的衬底上旋涂一层氢倍半硅氧烷(HSQ)；利用电子束曝光技术对样品进行曝光显影得到预期的HSQ柱状纳米结构；利用磁控溅射镀膜沉积技术在样品上共形沉积一层
功能材料薄膜；利用旋涂的方式在溅射处理后的样品上旋涂一层平坦化层HSQ；然后把样品置于热板上低温烘烤以去除平坦化材料中的溶剂；再对样品用斜角离子束抛光设备以角度小于10°的夹角进行抛光处理直到HSQ柱子上表面的金属材料全部去除；最后用湿法刻蚀将样品用氢氟酸进行处理以去除HSQ柱子结构从而得到我们所需的高深宽比高保形的纳米级负型结构。
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“高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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