本发明揭示了一种高深宽比高保形纳米级正型结构的制备方法，本发明用旋涂的方法在提供的衬底上旋涂一层正性光刻胶聚甲基丙烯酸甲酯，并置于热板上前烘；利用电子束曝光技术对样品进行曝光显影得到预期的聚甲基丙烯酸甲酯微纳结构；利用磁控溅射镀膜沉积技术在样品上共形沉积一层
功能材料薄膜；利用旋涂的方式在溅射处理后的样品上旋涂一层平坦化层氢倍半硅氧烷；然后把样品置于热板上低温烘烤以去除平坦化材料中的溶剂；再对样品用斜角离子束抛光设备以角度小于90°的夹角进行抛光处理直到除去聚甲基丙烯酸甲酯上表面所有金属为止；最后用氧等离子对样品进行处理以达到去除聚甲基丙烯酸甲酯并进行无应力释放最终的高深宽比高保形纳米级正型结构。
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“高深宽比高保形纳米级正型结构的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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