本发明的CuO和In2O3微纳米异质周期结构
功能材料及其制备方法属于半导体异质结构材料的技术领域。功能材料由隆起部分和低谷部分周期性交替组装而成；隆起部分是由纳米CuO堆积形成，低谷部分是由纳米In2O3堆积形成；一条隆起的CuO和相邻的一条低谷的In2O3构成一个周期。制备方法是在硝酸根存在的溶液中，在方波电势的作用下，Cu2O和In(OH)3被交替沉积出来，再经过高温处理过程，得到CuO和In2O3异质周期结构材料。本发明制备出的功能材料具有良好光学、电学、气敏性质和较高的稳定性；本发明采用不同频率的生长电压制备出周期不同的异质结构材料，具有生长面积可控、周期性可调的特点。
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“CuO和In2O3微纳米异质周期结构功能材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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