本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法,其中植入电离氢化硼分子簇以形成P型晶体管结构。举例而言,在制造互补型金属氧化物半导体(CMOS)装置中,植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供P型掺杂,此等掺杂步骤对于形成PMOS晶体管而言是至关重要的。该等分子簇离子具有化学形式BnHx+和BnHx-,其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。
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来源：北方有色网
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