本申请公开了一种
多晶硅全熔铸锭工艺，属于
光伏技术领域。该工艺包括下述步骤：1)装料阶段：将硅料装填入坩埚，转移坩埚至铸锭炉；2)加热、熔化阶段：关闭隔热笼，在真空条件下加热、熔化硅料，在熔化阶段的坩埚内部达到预设温度后调整隔热笼的开度；3)长晶阶段：调整隔热笼的开度为全部开度的30％‑70％，长晶温度为1410‑1460℃；4)液态硅长晶结束后，退火、冷却，即制得多晶硅锭。该工艺制备的多晶硅的良率高，对晶硅少子的寿命长，多晶硅底部红区的短；工艺周期短，生产效率高；喷涂氮化硅的坩埚不与多晶硅铸锭粘锅；坩埚表面的喷涂的氮化硅为疏松粗糙表面，具有石英砂形核、缝隙形核和氮化硅形核，多种引晶并存，周期短良率高。
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我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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