本发明公开了一种可级联的大功率
碳化硅器件半桥高温封装结构，陶瓷外壳内设置有第一镀金的金属化芯区及第二镀金的金属化芯区，第一镀金的金属化芯区上设置有上桥臂半导体
芯片，第二镀金的金属化芯区上设置有下桥臂半导体芯片；陶瓷外壳的端面上设置有凹槽结构，引片结构插入于凹槽结构内，且引片结构与陶瓷外壳之间通过密封件密封，引片结构与上桥臂半导体芯片及下桥臂半导体芯片相连接，陶瓷外壳内部为真空结构或者充有惰性气体。该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。
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来源：北方有色网
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