本发明涉及一种
钕铁硼晶界的处理工艺，其特征是：配制多元合金相R（M）x，将富相合金熔炼均匀，将其加入到主相合金中制作钕铁硼磁体。所述的配制多元合金相R（M）x，其R为Dy或Tb，M为Cu+Al+Ga，x为1或2，其结构均为面心立方结构化合物；其相变温度为808℃~970℃的独特化合物。本发明在不影响生产效率下，可显著提高钕铁硼性能，并且是一般工艺中达到了晶界扩散工艺的效果，但生产效率(kg/h)较晶界扩散提高近20倍，且产品厚度方向不再受扩散的限制。本发明的优点是：（1）富相合金独特，（2）可制备高剩磁、高矫顽力磁体，（3）生产效率高。
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来源：北方有色网
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