本发明公开了一种双
芯片横向串联型的二极管封装结构和制造方法，包括内引线、由外引线A、外引线B以及两个凸台组成的引线框架，外引线A、外引线B分别与载片台连为一体，两个载片台上均设有凸台，内引线底面设有两个凸台，两个载片台上的两个凸台与内引线底面的两个凸台之间设置第一芯片与第二芯片，制造方法包括：引线框架置于烧结模具上，将第一、第二芯片贴装于外引线的载片台上，芯片上盖上内引线，将装配好的产品进行烧结，本发明提高了二极管的电压值及TVS等器件的功率，芯片厚度变化无需修改内引线，可容芯片的厚度尺寸大，本发明为双芯片横向串联二极管，作为整流器件若其中一个芯片被击穿，另一个芯片仍可继续工作。
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来源：北方有色网
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