本发明涉及一种覆
铜陶瓷基板，烧结前包括位于中间的陶瓷层、位于陶瓷层上下两面的焊料层、贴附在焊料层上的应力缓冲层以及贴附在应力缓冲层上的金属铜层。应力缓冲层为金属片，毛面朝向焊料层、光面朝向金属铜层。制备方法如下：1)将作为应力缓冲层的铜箔和作为金属铜层的铜片去除油污后，进行防氧化清洗；2)陶瓷层双面丝网印刷焊料层或双面贴敷活性金属焊片；3)在焊料层或活性金属焊片上贴敷铜箔，在铜箔上覆盖金属铜层；4)在待烧结件上下放置压头；5)依照AMB工艺进行真空活性钎焊烧结并提供分子扩散焊所需条件，温度控制在700℃‑940℃，真空度小于0.01，烧结时间60min‑540min，铜箔和金属铜层分子扩散焊后形成微孔区。
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来源：北方有色网
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