本发明涉及一种耐等离子刻蚀陶瓷及其制备方法和等离子刻蚀设备。上述耐等离子刻蚀陶瓷的制备方法包括如下步骤：按质量百分比计，称取如下原料：纳米级
氧化钇粉体64.7％～100％及纳米级氧化锆粉体0％～35.3％，纳米级氧化钇粉体的纯度不低于90.0％；将原料进行烧结，得到耐等离子刻蚀陶瓷，其中，烧结温度为1600℃～2000℃，烧结时间为1h～2h。上述耐等离子刻蚀陶瓷的制备方法能够使制备得到的陶瓷的耐刻蚀性较好，且致密度高、力学性能较好。
声明：
“耐等离子刻蚀陶瓷及其制备方法和等离子刻蚀设备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1290
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
