本发明公开了一种高结温雪崩二极管
芯片组件，包括正面金属片、二极管扩散圆片和背面金属片；二极管扩散圆片的两面均设有
镍膜；两层镍膜的外侧面与两金属片的内侧面设焊料层；正面金属片上设有应力吸收槽路，应力吸收槽路上设有沟槽，沟槽上设有聚酰亚胺钝化层。本发明还公开了一种高结温雪崩二极管芯片组件的制造方法，采用聚酰亚胺作为钝化层，避免玻璃钝化固有的高温漏电大，膨胀应力大等缺陷，提升了二极管结温；而且减少所有光刻，节约了成本，同时避免了光刻不良引入的缺陷，带来了极大的经济效益；本发明引入晶圆极的内引线金属电极片，减少了台面工艺带来的翘曲、碎片，提高浪涌能力，提高成品率，并方便后续封装工艺。
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“高结温雪崩二极管芯片组件及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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