本发明公开了一种基于激光干涉技术辅助
电化学技术制备纳米栅极的方法,应用于
太阳能电池、微/纳米光电子器件等领域。本发明包括如下步骤:a)在形成的p-n结衬底片表面或半导体衬底片表面旋涂光刻胶并烘干;b)然后经过双光束激光干涉技术曝光;c)经选择性溶液除去曝光的光刻胶,并经电化学技术沉积金属栅极;d)最后经选择性溶液移除未曝光的光刻胶,并进行热处理,获得亚微米/纳米金属栅极。本发明实现的亚微米/纳米栅极,具有大面积、高效、廉价、简便、可在大气环境下进行和可控性等优点,便于推广和商业化。
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“激光干涉技术辅助电化学技术制备纳米栅极的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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