本发明公开了一种酸蚀内藏台面的硅整流圆
芯片生产工艺，属于大功率半导体芯片的技术领域，以解决人工磨角的控制力差异导致芯片的质量参差不齐，且人工手持硅片，费时费力，工作效率低下等问题。该生产工艺包括硅片切割清洗、装模烧结、酸洗腐蚀、涂保护胶、室温硫化、高温老化和检测包装，通过腐蚀台面造型代替机械磨角，使磨角的角度达到最优的45‑50°，提高芯片性能，并且酸腐蚀不会在其内部产生应力和热损伤，不易产生正反两面的崩边、微损伤、裂痕等问题，而且省时省力，提高工作效率，其次，通过在混合酸溶液中添加含缓释剂的热敏微胶囊，抑制反应速率，并在下电极钼片表面形成钝化层，解决了腐蚀均匀性以及钼片腐蚀损伤的问题。
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“酸蚀内藏台面的硅整流圆芯片生产工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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