本发明提供一种高密度低游离硅含量反应烧结
碳化硅陶瓷材料的制备方法，该制备方法包括混料、真空除气、注浆成型、脱模干燥和烧结处理步骤，其中选取合理的原料粒度级配，并采用压力注浆成型，增强了产品素坯的密度；在烧结过程中采用优化的烧结曲线，有机物排除同预烧合二为一，在不影响产品质量的情况下降低烧结成本，减少碳化硅陶瓷素坯在高温排除有机物过程中发生的坯体的变形或开裂问题；使高密度坯体能够在较低温度下充分反应烧结，生成高密度、低游离硅陶瓷制品，保证了碳化硅陶瓷素坯显微结构均匀，大大提高了陶瓷材料的强度及结构稳定性。
声明：
“高密度低游离硅含量反应烧结碳化硅陶瓷材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
847
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
