本发明公开一种半导体α‑GeTe靶材及其制备方法，在惰性气体环境下将Ge和Te加热熔炼成合金；然后从合金一端开始分段进行降温冷却；经过真空均匀化淬火处理，再经真空热压烧结后，得到半导体α‑GeTe靶材。熔炼过程无需进行真空封管，优化了工艺，降低了成本；采用定向凝固技术，对GeTe锭进行提纯；进一步真空均匀化淬火处理和真空热压烧结技术使得合成的GeTe靶材成份均匀，具有较高的致密度，相对密度≥98.1％；含氧量≤0.0489％；Te含量为63.32～64.12wt％。保证靶材使用性能的优异性的同时也适合产业化生产。
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来源：北方有色网
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