本发明涉及一种采用烧结工艺制造高压大功率晶闸管的方法，包括以下步骤：工艺环境准备、超声波清洗、硅片漂洗、清洗石英架、石英砣、硅片
铝扩散、硅片硼扩散、氧化、一次光刻、磷扩散、割圆、烧结、蒸发、合金、二次光刻、喷砂磨角、旋转腐蚀涂胶保护、测试封装。与现有技术相比，本发明的有益效果是：
芯片制造采用硼、铝两次扩散，保证PN结前沿平缓；新型烧结技术保证烧结变形小，粘接牢固，保证扩散参数稳定不变；采用超净工艺环境，精细清洗方法，优质清洗试剂保证长的少子寿命；采用电脑控制扩散，机械磨角、喷角，保证产品参数一致性，使用可靠；制造成本低，成品率高，各项技术性能达到进口同类产品水平。
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“采用烧结工艺制造高压大功率晶闸管的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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