本发明涉及一种低温化学气相反应法制备SiC涂层的方法，主要用于碳素材料的抗氧化保护。该方法采用适量Si粉、SiO2粉以及适量SiO粉为反应原料，通过化学气相反应法在较低温度下制备SiC涂层。该方法工艺简单，制备的涂层结构致密均匀，晶粒细小，不易产生裂纹，可以大大提高碳素材料的抗氧化、抗热震性能。进一步优化通过浸渍碳化预先在碳素材料表面制备一层由细小碳颗粒碳组成的连续涂层，然后再采用结合上述的气相反应法，进一步促进细小晶粒的形成，最终得到致密均匀、性能优异的SiC涂层。本发明制备工艺简单，便于工业化应用。
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来源：北方有色网
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