本发明涉及一种用于
碳化硅功率器件的无引线封装结构和制备方法。本封装结构包括一个表面有开槽和通孔的圆形氮化
铝基底、碳化硅功率器件、无引线薄膜电路、一个键合在氮化铝基底上的
铜热沉和氮化铝封装盖子。本发明封装结构中没有的引线，不用担心引线可能引起的断路、虚接的不良情况。而且，氮化铝材料与碳化硅的热导率相近，器件在凹槽内固定，不会有过多的热应力，保证器件的可靠性。
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“用于碳化硅功率器件的无引线封装结构和制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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