本发明公开了一种中高性能
钕铁硼及制备方法，通过主辅相双合金工艺，主相合金为低
稀土总量的铈铁硼，辅相为高稀土总量的钕铁硼合金，避免主相轻稀土进入晶界，而辅相中富余的稀土进入晶界重构成富稀土相。将制备的磁体加工成薄磁片，磁控溅射HReM低熔点合金，实现了低温晶界扩散，该合金提高了晶界浸润性，也提高了富稀土相的流动性，使含铈钕铁硼主、辅相晶粒，在晶界扩散时被快速隔离，低温扩散避免了扩散入的重稀土被镨钕铈元素置换，抑制了铈铁硼晶粒间交换耦合，使重稀土游离于晶界，或与富稀土相作用在主相晶粒表层形成核壳结构，使富稀土相连续均匀分布，有效提升了晶界扩散重稀土元素对提高含铈磁体内禀矫顽力的效能。
声明：
“中高性能钕铁硼磁体及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1230
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
