本发明涉及一种焊料片和用该焊料片焊接的功率器件
芯片封装方法，属于微电子器件封装技术领域。该焊料片包括铟和银，其中铟材料重量百分比为20～40％，金属银的重量百分比为60％～80％，所述焊料片为铟‑银‑铟三层复合结构。所述芯片封装方法以Ag‑In作为反应系，芯片低温焊接原理为连接过程中低熔点金属铟形成液相与固态的高熔点金属银相互扩散或反应，发生等温凝固形成高熔点金属间化合物，实现耐高温连接。在Ag‑In体系中靠近In一侧金属间化合物为AgIn
2，随着工艺焊接时间的延长，Ag‑In内部互扩散反应加剧，In
4Ag
9和Ag
3In金属间化合物逐渐增多，并占据多数，金属间化合物In
4Ag
9和Ag
3In能耐受660℃的高温，从而实现大功率器件高温服役。
声明：
“焊料片和用该焊料片焊接的功率器件芯片封装方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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