本发明涉及硼
铝源一次全扩散生产KP整流
芯片的方法,包括硅片清洗、扩散、氧化、一次光刻、磷扩、割圆、烧结、蒸铝、二次光刻、台面腐蚀,其特征在于,所述扩散工序为一次全扩散,具体包括以下步骤:硼源、铝源制备和一次全扩散,扩散时保证石英闭管中硼源片和铝源片在待扩硅片中分布均匀,当表面浓度和结深达标时扩散完成。与现有技术相比,本发明的有益效果是:在PN结的生产制造过程中,采用硼铝两种元素扩散源,一次高温扩散成型,相同规格的大功率高压整流芯片产品对比,电压提高了800V～1000V,产品使用寿命多出500小时以上,减少了磷扩时间4～5小时,提高了扩散效率,硅单晶片的损伤减少,提高了成品率。
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来源：北方有色网
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