一种基于电子俘获诱导空穴注入形成光增益的CH
3NH
3PbI
3钙钛矿光电器件及其制备方法，属于光电探测技术领域。从下至上，依次由具有ITO导电薄膜的玻璃衬底、PEDOT‑PSS空穴传输层、CH
3NH
3PbI
3钙钛矿感光薄膜、PCBM电子萃取层、PCBM：F4‑TCNQ混合材料电子俘获层、BCP修饰层、Au电极构成。钙钛矿感光层吸光后产生的光生电子流向器件阴极，并被F4‑TCNQ提供的深电子陷阱所束缚，导致阴极附近的PCBM能级向下弯曲，并在PCBM中形成空穴势垒尖峰，阴极空穴在较小的反向偏压下可以隧穿通过该势垒尖峰并注入器件，最终形成空穴增益，大幅提高探测器的光电流密度。
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“基于电子俘获诱导空穴注入形成光增益的钙钛矿光电器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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