本发明涉及一种硒化铟靶材的制备模具，模具包括上方开口且中空的外模和上封盖，外模形成一圆筒形的装料空间，上封盖包括与外模盖合的盖面和自盖面向上凸伸的封盖柄，封盖柄上开设有真空抽气孔，模具还包括垫设于外模内的若干石墨纸和支撑片。本发明同时提出一种硒化铟靶材的制备方法。该制备模具和制备方法采用热等静压技术制备高密度、低电阻的硒化铟靶材，所制备得到的硒化铟靶材的密度达到99%以上、靶材1cm间的电阻值低于1200Ω/cm，所制备得到的硒化铟靶材适用于半导体镀膜。
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来源：北方有色网
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