本发明公开了一种塑封SiC肖特基二极管器件，包括金属散热底板、外引脚、SiC肖特基二极管
芯片、连接桥片，其制造方法为：将金属散热底板放置于模具内，在金属散热底板的凸台上表面点上适量焊膏；将SiC肖特基二极管芯片阳极面朝下倒置放置在凸台上表面，并在SiC肖特基二极管芯片朝上的阴极区表面和外引脚焊接区同时点上适量焊膏；将连接桥片焊接A区和B区同时分别放置在阴极区和外引脚焊接区上；将装配好的产品连同模具一起进行一次性真空烧结，待烧结完成后，进行清洗、塑封，完成封装，形成产品，本发明极大的提高了芯片散热效果，缩短工艺流程，提高生产效率，极大的提高了器件的通流能力，充分发挥出SiC肖特基二极管芯片高通流能力优势。
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来源：北方有色网
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