本发明公开了一种焊接式硅
芯片高绝缘台面钝化保护工艺，包括以下步骤：硅单晶片切割、单晶片磨角、真空烧结、酸腐蚀、涂敷聚酰亚胺、真空排泡、阶梯烘烤、清洗形成钝化保护芯片、涂覆GD‑406蓝色硅橡胶、真空排泡、室温硫化化、高温固化、检测、真空包装出厂。本发明通过对传统芯片制造工艺的改进，通过PI胶的应用对芯片台面进行钝化和双层致密保护，并可有效地俘获PN结台面可移动电荷，降低了芯片的IRRM，提高了芯片抗击穿能力和综合电性能，解决了粘附性、热膨胀、机械应力及气孔等技术问题，从而得到一种保护致密、耐高压、耐温范围广、高性价比、高可靠性的高压功率半导体模块芯片，有效提高产品的可靠性和良品率，值得推广和使用。
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“焊接式硅芯片高绝缘台面钝化保护工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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