本发明提供了一种压接式IGBT模块单面烧结一致性的方法，该方法包括：从下至上将钼片、焊片和IGBT
芯片组装到烧结卡具中、组装限位销压制压片和用连续真空烧结炉烧结构，制得压接式IGBT模块单面烧结连接结构。本发明提供的制备方法用连续式真空烧结炉，能够大规模烧结芯片，极大地缩短了工序时长，效率高，速度快；本发明中提供的烧结方法将待烧结零件与卡具之间的接触关系由面接触转变为点接触，解决了烧结过程中焊料溢出损害卡具以及工件无法取出的问题，改善了烧结过程中焊料的溢出，确保了烧结后工件的高度一致性。
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“烧结卡具、压接式IGBT模块单面烧结方法及制得的子模组” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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