一种
铝基
碳化硅的制备方法，包括步骤：步骤一、制备SiC/Al浆料，使用SiC微粉配制得到SiC浆料，然后按比例加入铝粉和镁粉并混合均匀；步骤二、流延成型，对SiC/Al浆料除泡后加入SiC/Al浆料总重量1-3％的引发剂和2-4％的单体，混合均匀后，进行流延得到SiC/Al流延膜；步骤三、流延膜素烧，对步骤二得到的流延膜进行素烧，得到SiC/Al素坯；步骤四、真空烧结，将SiC/Al素坯在真空状态下烧结，得到铝基碳化硅。本发明通过采用凝胶流延法制备铝基氮化铝，得到的产品成分分布均匀，气孔率低，导热率高，且通过引入镁粉，改善烧结性能，降低烧结温度。本发明涉及的工艺简单，能耗较少。
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来源：北方有色网
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