本发明提供了一种功率
芯片双面烧结的压接式IGBT模组的制备方法，该方法包括：从下至上将下钼片、焊片、IGBT芯片、焊片和上钼片组装到烧结卡具中；组装限位销压制压片；用连续真空烧结炉烧结得单芯片烧结连接结构；从下至上依次组装的塑料框架、弹簧探针和烧结结构，得所述单芯片压接子模组。本发明提供的制备方法用连续式真空烧结炉，能够大规模烧结芯片，极大地缩短了工序时长，效率高，速度快；本发明中提供的烧结方法采用的烧结卡具与压片，解决了芯片与钼片烧结后的对中问题，并且可以确保烧结后结构的厚度差值可控制在8μm以下。
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“双面烧结卡具、压接式IGBT模块烧结方法及其制得的子模组” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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