本发明公开了一种MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷的制备方法，它的步骤如下：（1）首先，将MoSi2、SiC、C及B4C元素粉球磨混料，混合时间为8-72hr，并模压成型，得到坯料；（2）将坯料室温晾干，然后入烘箱烘干1-200hr，得到烘干后的坯料；（3）将烘干后的坯料移入铺有金属Si粉的真空烧结炉中，冷却后获得MoSi2/MoB/SiC三相陶瓷。本发明利用MoSi2、SiC、C及B4C混合元素粉模压成型，所得材料孔隙率低于10%或以下，强度大于200MPa。该方法补充了现有高温抗氧化强度材料品种，适合工业规模。
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来源：北方有色网
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