双向可控硅制造中的真空烧结方法，属于一种电子元件加工方法，具体步 骤是：1.制作真空烧结炉用模具；2.填料；3.模具叠成模具组；4.模具组入 炉；5.将炉子抽真空管，真空度1～5×10-1Pa，时间15～30分钟；6.烧结 同时抽气，保证炉内负压，温度控制在350℃～400℃之间烧制5～13分钟；7. 冷却至80℃以下，这种方法克服了真空炉不能用于双向可控硅焊接的技术偏见， 成本低、效率高，制作的产品质量也明显提高。
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来源：北方有色网
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