本发明公开了一种含氦W基纳米晶薄膜材料的制备方法，即首次采用磁控溅射的方法在He/Ar混合气氛中将W基靶材进行溅射、沉积，从而在衬底上实现含氦W基纳米晶薄膜材料的制备。本制备方法可有效克服传统
粉末冶金等方法制备的W基块体晶粒粗大的问题，实现具有纳米量级晶粒尺寸的W基样品的制备，有效克服了传统方法中使用加速器注入He时由于材料表面温度升高引起的温度不可控、氦原子在材料表面深度方向分布不均匀等问题,实现了He原子在W基材料中均匀、可控地注入。
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来源：北方有色网
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