本发明属于光电探测器技术领域，尤其涉及一种量子点光电探测器，包括相对设置的N型半导体层和P型半导体层，以及设置在所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的量子点层，所述P型半导体层包括复合金属氧化物，所述复合金属氧化物的分子式为A
n‑1B
nO
3n‑3，其中，A选自金属元素中的任意一种，B选自过渡金属元素中的任意一种，n≥3；所述N型半导体层包括
钙钛矿材料。本发明光电探测器包括钙钛矿材料、量子点和复合金属氧化物的P/N结构量子点光电探测器，光响应范围广，可检测200～800nm波长的光信号，灵敏度高，且无需外加电场驱动即可实现对光信号的检测，应用方便灵活。
声明：
“量子点光电探测器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
975
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
