本发明公开了一种溅射靶材用大单重宽幅钼板带的轧制方法，包括1)取
粉末冶金烧结钼板坯，加热至1485～1495℃，以48～52m/min的轧制速度进行二火次六道次热轧得钼板A；2)取钼板A，以38～42m/min的轧制速度进行三道次冷轧，退火得钼板B；3)取钼板B加热至845～855℃，以90～100m/min的轧制速度进行轧制，后进行平整，即得。本发明的轧制方法，所得钼板带成品规格较大，纯度高，密度大，晶粒间隙小，致密度均匀，平均晶粒尺寸小，各向异性小晶粒均匀，表面平直度高，具有优异的表面质量和使用性能，满足了大型化和高精细化LCD面板制造用溅射钼靶材对规格和使用性能的要求，适合推广应用。
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来源：北方有色网
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