本发明属于冶金资源循环利用技术领域，公开了一种利用
多晶硅切割废料在低温下制备SiO2‑Si3N4复合陶瓷的方法。将多晶硅切割废料处理至实验室使用标准，与稀释剂混合，球磨均匀，通过合理选择氮化气氛，控制氮化反应，获得氮化产物；将氮化产物破碎研磨，并加入SiO2、C、烧结助剂，球磨混匀，冷等静压成型制备氨化前样品；通过合理选择氨化气氛，控制氨化反应，获得SiO2‑Si3N4复合陶瓷。本发明的优点在于通过控制粉体组成和氨化条件规避副产物的生成，利用SiO2和C发生的碳热还原反应有效降低体积效应，最终得到成分均一、性能良好的SiO2‑Si3N4复合陶瓷，从而实现了
光伏产业链废弃物的资源化利用和陶瓷产业链的经济发展。
声明：
“利用多晶硅切割废料在低温下制备SiO2-Si3N4复合陶瓷的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
988
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
