用于再利用例如来自
太阳能电池晶片或半导体器件制造中的高纯硅的剩余物或其它残留Si的方法,特征在于,来自晶片生产过程或半导体器件的干燥的切屑、碎片和/或其它残留Si与冶金级硅一起用作生产四氯化硅(SiCl4)的直接氯化反应器(1)中的原料。不论其尺寸如何,未反应的切屑或其它排出反应区的未反应的小颗粒重复返回反应器用于进一步氯化。除反应器(1)外,方法中所包括的设备可包括用于混合和储存Si原料/切屑的储存和混合装置(2)、用于分离和回收从反应器的反应区排出并通过返回进料装置(9)被送回反应器的反应区的含硅颗粒的回收装置(3)、在其中从反应器的反应区和回收装置排出的最小尺寸的颗粒被在具有液态SiCl4的浆液中收集的冷凝单元(10)、和向其中加入额外的来自晶片生产过程或半导体器件的切屑、碎片和其它残留Si并与随后被直接加入反应器的反应区用于冷却和控温的已有的SiCl4/Si浆液混合的混合单元(13)。
声明：
“再循环高纯硅金属的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
753
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
