本发明涉及
半导体技术，具体的说是设计一种MOS栅控晶闸管。本发明对P+阴极接触区10进行改进，增大了P+阴极接触区10的宽度，改变了冶金结形貌，减小了自阴极金属11流入的电子的运输通道。器件正向工作特性受到P+阴极接触区10、N阱9组成的JFET的控制，在相对较小的阳极电压下可发生沟道夹断效应，能控制器件饱和电流的大小。P+阴极区接触区10的结深和宽度可根据器件设计要求进行优化取值。本发明尤其适用于MOS栅控晶闸管。
声明：
“MOS栅控晶闸管” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
774
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
