本发明提供了低温纳米
锡浆料的制备方法及封装方法，制备方法包括S1制备高活性的纳米锡溶胶；S3制备纳米锡浆料；封装方法包括S1在
芯片和基板上对称制备图形化的焊盘或过渡金属化层；S2将制备得到的纳米锡浆料附着在焊盘和过渡金属化层表面，对准堆叠形成封装结构；S3对S2中所述封装结构施加压力并进行低温加热，促使纳米锡浆料烧结实现冶金互连。本发明在低温条件下使用低熔点、低成本、高表面活性的纳米锡浆料进行烧结，完成与基板和芯片之间互连，无需添加
贵金属镀层增加润湿和结合强度，简化生产工艺，降低封装结构的复杂性和成本，且烧结后接头具有较好导热率和导电性能，适合应用于电子封装领域中低温及热敏感器件的封装互连。
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“低温纳米锡浆料的制备方法及封装方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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