本发明涉及烧结技术领域，且公开了一种中低硅烧结技术，包括以下步骤：1)首先，逐步将SiO2为≥7.5％的巴粗使用完后，接着采购的巴西粗粉SiO2控制在≤7.5％，降低配矿硅到5‑6水平，来进行实验；2)为保证生产技术攻关的严谨性、科学性和稳定性，此试烧验证过程从小高炉烧结矿开始进行。该中低硅烧结技术，通过先利用中硅巴粗验证后，接着利用CSN巴粗进行，再用中硅巴粗，慢慢降低矿硅到5‑6水平，来进行多次验证，使验证结果更加严谨，此验证先利用小高炉烧结矿开始进行，然后对整个生产和高炉使用过程的生产参数、烧结矿转鼓、全粒级、低温还原粉化指数RDI和熔滴性能等冶金性能数据进行统计分析，进行效果验证检测，达到了降低熔剂消耗的目的。
声明：
“中低硅烧结技术” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1225
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
