本发明提供一种
芯片划切用多孔质Cu‑Sn基超薄砂轮及其制备方法，超薄砂轮的金属基胎为Cu‑Sn‑Ti合金，超薄砂轮的多孔结构是利用由Cu/Sn元素间扩散速率差引起的柯肯达尔效应反应生成；制备方法步骤包括物料制备、冷压成型、钎焊成型和机械加工；其中钎焊成型由造孔、活性钎焊两个加热工序组成；所述的造孔工序的参数为200～250℃、30～240min；所述的活性钎焊工序的参数为650～950℃、5～100min。本发明利用活性钎焊技术使金属结合剂与超硬磨料发生化学冶金反应，以提高磨粒把持力，使超薄砂轮可进一步减薄；利用Cu/Sn元素间的柯肯达尔效应引入多孔结构来改善超薄砂轮的自锐能力，以提高芯片划切质量，并且不需要添加造孔剂等材料以降低生产成本。
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“芯片划切用多孔质Cu-Sn基超薄砂轮及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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